DSA70C100HB
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
0 20406080100
0.001
0.01
50°C
[mA]
0.1
100°C
1
10
TVJ=175°C
100
0204010 30 50
0
10
20
30
40
1 10 100 1000 10000
0.0
0.1
0.2
0.3
thJC
[K/W]0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0 50 100 150 200
0
10
20
30
40
50
60
0 20406080100
0
200
400
600
800
1000
1200
DC
25°C
75°C
125°C
Single Pulse
150°C
IF
[A]
VF
[V]
IR
VR
[V]
VR
[V]
CT
[pF]
TC
[°C]
IF(AV)
[A]
P(AV)
[W]
t
[ms]
Note: All curves are per diode
Fig. 1 Maximum forward voltage
drop characteristics
Fig. 2 Typ. reverse current
IR
vs. reverse voltage VR
Fig. 3 Typ. junction capacitance
CT
vs. reverse voltage VR
Fig. 4 Average forward current
IF(AV)
vs. case temperature TC
Fig. 5 Forward power loss
characteristics
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case
IF(AV)
[A]
TVJ
=
150°C
125°C
25°C
TVJ=25°C
d=0.5
d =
DC
0.5
0.33
0.25
0.17
0.08
Z
Schottky
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131031c
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
DSA70C150HB
DIODE SCHOTTKY 150V 2X35A TO-247
DSA80C45HB
DIODE SCHOTTKY 45V 2X40A TO-247
DSA90C200HB
DIODE SCHTTKY 200V 2X45A TO247AD
DSB40C15PB
DIODE SCHOTTKY 15V 2X20A TO-220
DSB60C45HB
DIODE SCHOTTKY 45V 2X30A TO247AD
DSB60C60PB
DIODE SCHOTTKY 60V 2X30A TO-220
DSB80C45HB
DIODE SCHOTTKY 45V 2X40A TO-247
DSEC120-12AK
DIODE UFAST 1200V 60A CC TO264A
相关代理商/技术参数
DSA70C150HB
功能描述:肖特基二极管与整流器 SILICON SCHOTTKY GEN2 DIODES 150V 70A
RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
DSA70C200HB
功能描述:肖特基二极管与整流器 HiPerFRED RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
DSA710100L
功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA7101Q0L
功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA7101R0L
功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA7102R0L
功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA7102S0L
功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA750300L
功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2